Позначення транзистора КТ315Б на схемах
На важливих схемах транзистор позначається як буквеним кодом, і умовним графічним. Літерний код складається з латинських літер VT та цифри (порядкового номера на схемі). Умовне графічне позначення транзистора КТ315Б зазвичай поміщають у гурток, що символізує його корпус. Коротка рисочка з лінією від середини символізує базу, дві похилі лінії, проведені до країв під кутом 60°, - емітер і колектор. Емітер має стрілку, спрямовану від бази.
Характеристики транзистора КТ315Б
- Структура n-p-n
- Максимально допустима (імпульсна) напруга колектор-база 20 В
- Максимально допустима (імпульсна) напруга колектор-емітер 20 В
- Максимально допустимий постійний (імпульсний) струм колектора 100 мА
- Максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, без тепловідведення (з тепловідведенням) 0.15 Вт
- Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора у схемі із загальним емітером 50-350
- Зворотний струм колектора
- Гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі із загальним емітером => 250 МГц
Аналоги транзистора КТ315Б
|
|||||
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Транзистори серій КТ315 та КТ 361 |
|||||
Серія цих крем'яних транзисторів дуже популярна, починаючи з минулого століття і досі. Поміж іншого, у них дуже зручний корпус і висновки для поверхневого монтажу. Ці транзистори дуже потоваришували з мікроконтролерами і часто використовуються як буферні каскади між МК та периферією. Доступність і ціна цієї серії радують будь-якого радіоаматора, можна брати одразу відерами. Функції у радіосхемах цих транзисторів дуже різноманітні. Висока гранична частота дозволяє робити на них генератори до УКХ діапазону. У малопотужних звукових підсилювачах вони добре себе зарекомендували. Колір корпусу транзисторів може бути жовтий, зелений, червоний, інші мені не траплялися. |
|||||
Тепер трохи докладніше про корпуси: Транзистор КТ315БЯкщо ви дивитесь на транзистор логотип і його ноги дивляться вниз. Тут найпростіше це вставити транзистор в мультиметр, де є перевірка транзисторів. 315 серія це n-p-n кристал, 361 серія p-n-p кристал. |
|||||
Другий варіант це виміряти провідність переходів мультиметром (база-емітер, база-колектор). |
|||||
Ну і останнє, це як я їх відрізняю: Все дуже просто у КТ315 буква логотипу зліва, а у КТ361 вона посередині. |
|||||
Довідка про аналоги високочастотного біполярного npn транзистора BC847C.
Ця сторінка містить інформацію про аналоги біполярного високочастотного npn транзистора BC847C.
Перед заміною транзистора на аналогічний, !ОБОВ'ЯЗКОВО! порівняйте параметри оригінального транзистора та запропонованого на сторінці аналога. Рішення про заміну приймайте після порівняння характеристик з урахуванням конкретної схеми застосування та режиму роботи приладу.
Можна спробувати замінити транзистор BC847C
транзистором 2N2222;
транзистором BC547C;
транзистором
транзистором FMMTA06;
транзистором
Колективний розум.
Додано користувачами:
дата запису: 2016-05-31 01:30:30
Додати аналог транзистора BC847C.
Ви знаєте аналог чи комплементарну парутранзистор BC847C?
КТ315: аналоги у світі
Додати. Поля, що позначені зірочкою, є обов'язковими для заповнення.
Зміст довідника транзисторів
Параметри польових транзисторів n-канальних.
Параметри польових транзисторів p-канальних.
Додати опис польового транзистора.
Параметри транзисторів низькочастотних біполярних npn.
Параметри транзисторів низькочастотних біполярних pnp.
Параметри транзисторів високочастотних біполярних npn.
Параметри транзисторів високочастотних біполярних pnp.
Параметри транзисторів біполярних надвисокочастотних npn.
Параметри транзисторів біполярних надвисокочастотних pnp.
Додати опис біполярного транзистора.
Параметри біполярних транзисторів із ізольованим затвором (БТІЗ, IGBT).
Додати опис біполярного транзистора із ізольованим затвором.
Пошук транзистора з маркування.
Пошук біполярного транзистора за основними параметрами.
Пошук польового транзистора за основними параметрами.
Пошук БТІЗ (IGBT) за основними параметрами.
Типорозміри корпусів транзисторів.
Магазини електронні компоненти.
Є надія, що довідник транзисторів виявиться корисним досвідченим і початківцям радіоаматорам, конструкторам та учням. Всім тим, хто так чи інакше стикається з необхідністю дізнатися більше про параметри транзисторів. Детальнішу інформацію про всі можливості цього інтернет-довідника можна прочитати на сторінці «Про сайт».
Якщо Ви помітили помилку, величезне прохання написати листа.
Дякую за терпіння та співпрацю.
Транзистори КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.
Транзистори КТ817, - Кремнієві, універсальні, потужні низькочастотні, структури - n-p-n.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, перетворювачах та імпульсних схемах.
Корпус пластмасовий, із гнучкими висновками.
Маса — близько 0,7 г. Маркування буквено — цифрове, на бічній поверхні корпусу, може бути двох типів.
Кодоване чотиризначне маркування в один рядок і некодоване — в два. Перший знак у кодованому маркуванні КТ817 цифра 7, другий знак - буква, що означає клас. Два наступні знаки означають місяць і рік випуску. У некодованому маркуванні місяць і рік вказані у верхньому рядку. На малюнку нижче - цоколівка та маркування КТ817.
Найважливіші параметри.
Коефіцієнт передачі струмуу транзисторів КТ817А, КТ817Б, КТ817В 20
.
У транзистора КТ817Г - 15
.
Гранична частота коефіцієнта передачі струму — 3 МГц.
Максимальна напруга колектор – емітер.У транзистора КТ817А - 25
в.
У транзисторів КТ817Б - 45
в.
У транзистора КТ817В - 60
в.
У транзистора КТ817Г - 80
в.
Максимальний струм колектора. — 3 А. Потужність колектора, що розсіюється.— 1 Вт, без тепловідведення, 25 Вт - з тепловідведенням.
Напруга насичення база-емітер 1,5 в.
Напруга насичення колектор-емітерпри струмі колектора 3А, а бази 0,3А - не більше 0,6 в.
Зворотний струм колекторау транзисторів КТ817А при напрузі колектор-база 25 в, транзисторів КТ817Б при напрузі колектор-база 45 в, транзисторів КТ817В при напрузі колектор-база 60 в, транзисторів КТ817Г при напрузі колектор-база 100 в - 100 мкА.
Ємність колекторного переходупри напрузі колектор-база 10 в, на частоті 1МГц - не більше 60 пФ.
Місткість емітерного переходупри напрузі емітер-база 0,5 - 115 пФ.
Компліментарний(аналогічний за параметрами, але протилежної провідності) транзистор - КТ816.
Закордонні аналоги транзисторів КТ817.
КТ817А - TIP31A
КТ817Б - TIP31B
КТ817В - TIP31C
КТ817Г - 2N5192.
Транзистори – купити… або знайти безкоштовно.
Де зараз можна знайти радянські транзистори?
В основному тут два варіанти — або купити, або отримати безкоштовно, в ході розбирання старого електронного мотлоху.
Під час промислового колапсу початку 90-х утворилися досить значні запаси деяких електронних комплектуючих. Крім того, повністю виробництво вітчизняних електронних ніколи не припинялося і не припиняється досі. Це і пояснює той факт, що дуже багато деталей минулої епохи, все-таки можна купити. Якщо ж ні — завжди є більш-менш сучасні імпортні аналоги. Де і як найпростіше купити транзистори? Якщо вийшло так, що поблизу вас немає спеціалізованого магазину, то можна спробувати придбати необхідні деталі, замовивши їх поштою. Зробити це можна зайшовши на сайт-магазин, наприклад - "Гулівер".
Якщо ж у вас є якась стара, непотрібна техніка — зламані телевізори, магнітофони, приймачі та.
Навігація за записами
т. д - можна спробувати видобути транзистори (та інші деталі) із нього.
Найпростіше ситуація з КТ315. У будь-якій промисловій та побутовій апаратурі і з середини 70-х років ХХ століття і закінчуючи початком 90-х його можна зустріти практично повсюдно.
КТ3102 можна знайти в попередніх каскадах підсилювачів магнітофонів - "Електроніка", "Вега", "Маяк", "Вільма" і. т.д.
КТ817 - у стабілізаторах блоків живлення тих же магнітофонів, іноді в кінцевих каскадах підсилювачів звуку (у магнітолах Вега РМ-238С, РМ338С і т.п)
На головну сторінку
Кремнієві епітаксійно-планарні n-p-n транзистори типу КТ315 та КТ315-1 (комплементарна їм пара). Призначені для застосування в підсилювачах високої, проміжної та низької частоти, що безпосередньо застосовуються в радіоелектронній апаратурі, що виготовляється для техніки цивільного призначення та для постачання на експорт. Транзистори КТ315 та КТ315-1 випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Транзистор КТ315 виготовляється у корпусі КТ-13. Після КТ315 став випускатися в корпусі КТ-26 (закордонний аналог TO92), транзистори в цьому корпусі отримали додаткову «1» в позначенні, наприклад КТ315Г1. Корпус надійно оберігає кристал транзистора від механічних та хімічних ушкоджень. Транзистори KT315H та КТ315Н1 призначені для застосування у кольоровому телебаченні. Транзистори KT315P та КТ315Р1 призначені для застосування у відеомагнітофоні «Електроніка – ВМ». Транзистори виготовляють у кліматичному виконанні УХЛ та в єдиному виконанні, придатному як для ручного, так і для автоматизованого збирання апаратури.
КТ315 випускався підприємствами: "Електроприлад" м. Фрязіно, "Квазар" м. Київ, "Континент" м. Зеленодольськ, "Кварцит" м. Орджонікідзе, ВО "Елькор" Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, НДІПП м. Томськ, ПЗ «Електроніка» м. Воронеж, 1970 р. їх виробництво також було передано до Польщі на підприємство Unitra CEMI.
В результаті переговорів у 1970 році Воронезьким об'єднанням «Електроніка» у плані співробітництва було передано до Польщі виробництво транзисторів КТ315. Для цього у Воронежі повністю демонтували цех, та у найкоротші терміни разом із запасом матеріалів та комплектуючих переправили, змонтували та запустили його у Варшаві. Цей науково-виробничий центр з електроніки, створений у 1970 році, був виробником напівпровідників у Польщі. Unitra CEMI зрештою збанкрутувала в 1990 році, залишивши польський ринок мікроелектроніки відкритим для іноземних компаній. Сайт музей підприємства Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/ . До кінця існування СРСР загальна кількість випущених транзисторів КТ315 перевищила 7 мільярдів.
Транзистор КТ315 випускається, до сьогодні рядом підприємств: ЗАТ «Кремній» м. Брянськ, СКБ «Елькор» Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, завод НДІПП м. Томськ. Транзистор КТ315-1 випускається: ЗАТ "Кремній" м. Брянськ, завод "Транзистор" Республіка Білорусь м. Мінськ, АТ "Елекс" м. Олександрів Володимирська область.
Приклад позначення транзисторів КТ315 під час замовлення та в конструкторській документації іншої продукції: «Транзистор КТ315А ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторів КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК.365.200 ТУ/02».
Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1 представлені у таблиці 1.
Таблиця 1 – Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1
Тип | Структура | P До max P К * т. max , мВт | f гр, МГц | U КБО max , U КЕР*max , У | U ЕБО max , У | I До max мА | I КБО, мкА | h 21е, h 21Е* | C До, пФ | r КЕ нас, Ом | r б, Ом | τ до, пс |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KT315A1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Б1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315В1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Г1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Д1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Е1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Ж1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 15 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...250 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315І1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 60 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Н1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | – | – | – |
KT315Р1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 150...350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | – | – | – |
КТ315А | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...120* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
КТ315Б | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
КТ315В | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...120* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
КТ315Г | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
КТ315Д | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 20...90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
КТ315Е | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50...350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
КТ315Ж | n-p-n | 100 | ≥250 | 20* (10к) | 6 | 50 | ≤0,6 | 30...250* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤25 | – | ≤800 |
КТ315І | n-p-n | 100 | ≥250 | 60* (10к) | 6 | 50 | ≤0,6 | ≥30* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤45 | – | ≤950 |
КТ315Н | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50...350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤5,5 | – | ≤1000 |
КТ315Р | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,5 | 150...350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | – | ≤500 |
Примітка:
1. I КБО – зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера, виміряний при U КБ = 10 В;
2. I До max – максимально допустимий постійний струм колектора;
3. U КBO max – пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера;
4. U ЕБO max – пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора;
5. U КЕР max – пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер;
6. Р К.т max – постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням;
7. P До max – максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється;
8. r б - опір бази;
9. r КЕ нас – опір насичення між колектором та емітером;
10. C К - ємність колекторного переходу, виміряна при U К = 10 В;
11. f гp - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми загальним емітером;
12. h 2lэ – коефіцієнт зворотний зв'язок по напрузі транзистора як мало сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно;
13. h 2lЕ – для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу;
14. τ до - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті.
Габарити транзистора КТ315
Тип корпусу транзистора КТ-13 Маса одного транзистора трохи більше 0,2 р. Величина сили, що розтягує 5 Н (0,5 кгс). Мінімальна відстань місця вигину виведення від корпусу – 1 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння 1 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори повинні витримувати вплив тепла, що виникає за температури паяння (260 ± 5) °С протягом 4 секунд. Висновки повинні зберігати паяність протягом 12 місяців з дати виготовлення за дотримання режимів та правил виконання паяння, зазначених у розділі «Вказівки щодо експлуатації». Транзистори стійкі до дії спирто-бензинової суміші (1:1). Транзистори КТ315 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315 наведено малюнку 1.
Малюнок 1 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315
Габарити транзистора КТ315-1
Тип корпусу транзистора КТ-26 Маса одного транзистора трохи більше 0,3 р. Мінімальна відстань місця вигину виведення корпусу – 2 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння не менше 2 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори КТ315-1 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2.
![](https://i2.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Tranzistor-KT315-1-var.2.png)
Цоколівка транзисторів
Якщо розташувати транзистор КТ315 маркуванням від себе (як показано малюнку 1) висновками вниз, то лівий висновок це основа, центральний – колектор, а правий – емітер.
Якщо розташувати транзистор КТ315-1 навпаки маркуванням себе (як показано малюнку 2) висновками також вниз, то лівий висновок це емітер, центральний – колектор, а правий – база.
Маркування транзисторів
Транзистор КТ315. Тип транзистора вказується в етикетці, і навіть на корпусі приладу як букви вказувалася група. На корпусі вказується повна назва транзистора або лише літера, яка зсунута до лівого краю корпусу. Товарний знак заводу може не вказуватись. Дата випуску ставиться у цифровому чи кодованому позначенні (при цьому можуть вказувати лише рік випуску). Крапка у складі маркування транзистора свідчить про його застосування – у складі кольорового телебачення. А старі (вироблені до 1971 року) транзистори КТ315 маркувалися літерою, що стоїть посередині корпусу. При цьому перші випуски маркувалися лише однією великою літерою, а приблизно 1971 року перейшли на звичну дворядкову. Приклад маркування транзистора КТ315 показаний малюнку 1. Слід також зазначити, що транзистор КТ315 був першим масовим транзистором з кодовою маркуванням в мініатюрному пластмасовому корпусі КТ-13. Переважна більшість транзистори КТ315 і КТ361 (характеристики такі ж, як у КТ315, а провідність p-n-p) було випущено в корпусах жовтого або червоно-жовтогарячого кольорів, значно рідше можна зустріти транзистори рожевого, зеленого і чорного кольорів. У маркування транзисторів призначених для продажу крім літери, що позначає групу, товарного знаку заводу та дати виготовлення входила і роздрібна ціна, наприклад, «ц20к», що означало ціна 20 копійок.
Транзистор КТ315-1. Тип транзистори також вказується в етикетці, а на корпусі вказується повна назва транзистора, а також транзистори можуть маркуватись кодовим знаком. Приклад маркування транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2. Маркування транзистора кодовим знаком наведено у таблиці 2.
Таблиця 2 – Маркування транзистора КТ315-1 кодовим знаком
Тип транзистора | Маркувальна мітка на зрізі бічній поверхні корпусу | Маркувальна мітка на торці корпусу |
---|---|---|
KT315A1 | Трикутник зеленого кольору | Крапка червоного кольору |
KT315Б1 | Трикутник зеленого кольору | Точка жовтого кольору |
KT315В1 | Трикутник зеленого кольору | Крапка зеленого кольору |
KT315Г1 | Трикутник зеленого кольору | Крапка блакитного кольору |
KT315Д1 | Трикутник зеленого кольору | Точка синього кольору |
KT315Е1 | Трикутник зеленого кольору | Крапка білого кольору |
KT315Ж1 | Трикутник зеленого кольору | Дві точки червоного кольору |
KT315І1 | Трикутник зеленого кольору | Дві точки жовтого кольору |
KT315Н1 | Трикутник зеленого кольору | Дві точки зеленого кольору |
KT315Р1 | Трикутник зеленого кольору | Дві точки блакитного кольору |
Вказівки щодо застосування та експлуатації транзисторів
Основне призначення транзисторів – робота у підсилювальних каскадах та інших схемах радіоелектронної апаратури. Допускається застосування транзисторів, виготовлених у звичайному кліматичному виконанні в апаратурі, призначеній для експлуатації у всіх кліматичних умовах, при покритті транзисторів безпосередньо в апаратурі лаками (3-4 шари) типу УР-231 за ТУ 6-21-14 або ЕП-730 по ГОСТ 20824 з наступним сушінням. Допустиме значення статичного потенціалу 500 В. Мінімально допустима відстань від корпусу до місця лудіння та паяння (по довжині виведення) 1 мм для транзистора КТ315 та 2 мм для транзистора КТ315-1. Кількість допустимих перепайок висновків під час проведення монтажних (складальних) операцій – одна.
Зовнішні фактори, що впливають
Механічні впливи групи 2 таблиця 1 в ГОСТ 11630, зокрема:
– синусоїдальна вібрація;
- Діапазон частот 1-2000 Гц;
- Амплітуда прискорення 100 м / с 2 (10g);
- Лінійне прискорення 1000 м/с 2 (100g).
Кліматичні дії – за ГОСТ 11630, у тому числі: підвищена робоча температура середовища 100 °С; знижена робоча температура середовища мінус 60 ° С; зміна температури середовища мінус 60 до 100 °С. Для транзисторів КТ315-1 зміна температури середовища мінус 45 до 100 °С
Надійність транзисторів
Інтенсивність відмов транзисторів протягом напрацювання понад 3×10 -7 1/год. Напрацювання транзисторів t н = 50 000 годин. 98-відсотковий термін зберігання транзисторів 12 років. Упаковка повинна забезпечити захист транзисторів від зарядів статичної електрики.
Закордонні аналоги транзистора КТ315
Закордонні аналоги транзистора КТ315 наведено у таблиці 3. Технічну інформацію (datasheet) на зарубіжні аналоги транзистора КТ315 також можна завантажити у таблиці нижче. Наведені нижче ціни відповідають станом на 08.2018 року.
Таблиця 3 – Закордонні аналоги транзистора КТ315
Вітчизняний транзистор | Зарубіжний аналог | Можливість купити | Підприємство виробник | Країна виробник |
---|---|---|---|---|
КТ315А | ні | Unitra CEMI | Польща | |
КТ315Б | ні | Unitra CEMI | Польща | |
КТ315В | ні | Unitra CEMI | Польща | |
КТ315Г | ні | Unitra CEMI | Польща | |
КТ315Д | є | Hitachi | Японія | |
КТ315Е | є ~ 4$ | Central Semiconductor | США | |
КТ315Ж | є ~ 9 $ | Sprague electric corp. | США | |
є | ITT Intermetall GmbH | Німеччина | ||
КТ315І | є ~ 16 $ | New Jersey Semiconductor | США | |
є | Sony | Японія | ||
КТ315Н | є ~ 1$ | Sony | Японія | |
КТ315Р | ні | Unitra CEMI | Польща |
Закордонним прототипом транзистори КТ315-1 є транзистори 2SC544, 2SC545, 2SC546 підприємство-виробник Sanyo Electric, країна виробництва Японія. Транзистори 2SC545, 2SC546 можна також придбати, орієнтовна ціна становить близько 6$.
Основні технічні характеристики
Основні електричні параметри транзисторів КТ315 при прийманні та поставці наведені в таблиці 4. Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора наведені в таблиці 5. Вольт-амперні характеристики транзисторів КТ315 наведені на малюнках 3 – 8. Залежності електричних параметрів транзисторів малюнки 9 – 19.
Таблиця 4 – Електричні параметри транзисторів КТ315 під час приймання та постачання
Найменування параметра (режим виміру) одиниці виміру | Літерне позначення | Норма параметра | Температура, °С | |
---|---|---|---|---|
не менше | не більше | |||
Гранична напруга (IC = 10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315І КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р | U (CEO) | 15 30 25 | – | 25 |
(IC = 20 мA, I B = 2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315І | U CEsat | – | 0,4 |
|
Напруга насичення колектор-емітер (IC = 70 мA, I B = 3,5 мА), В КТ315Н | U CEsat | – | 0,4 | |
Напруга насичення база-емітер (IC = 20 мА, I B = 2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315І | U BEsat | – | 1,0 |
|
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КГ315І | I CBO | – | 0,5 0,6 | 25, -60 |
Зворотний струм колектора (U CB =10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е | I CBO | – | 10 15 | 100 |
Зворотний струм емітера (U EB =5 В) мкА КТ315А - КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315І КТ315Р | I EBO | – | 30 50 3 | 25 |
, (R BE = 10 ком U CE = 25 В), мА, KT3I5A (R BE = 10 ком U CE = 20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА КТ315В (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Г (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА, КТ315Д (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Е | I CER | – | 0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005 |
|
Зворотний струм колектор-емітер (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Р | I CER | – | 0,01 | 100 |
Зворотний струм колектор-емітер (U CE = 20 В), мА, КТ315Ж (U CE = 60 В), мА, КТ315І | I CES | – | 0,01 0,1 | 25, -60 |
Зворотний струм колектор-емітер (U CE = 20 В), мА, KT3I5Ж (U CE = 60 В), мА, KT3I5І | I CES | – | 0,1 0,2 | 100 |
Статичний коефіцієнт передачі струму (UCB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р | h 21E | 30 | 120 | 25 |
Статичний коефіцієнт передачі струму (UCB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р | h 21E | 30 | 250 | 100 |
Статичний коефіцієнт передачі струму (UCB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р | h 21E | 5 | 120 | -60 |
Модуль коефіцієнта передачі струму на високій частоті (U CB = 10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц) | |h 21E | | 2,5 | – | 25 |
Ємність колекторного переходу (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ | C C | – | 7 | 25 |
Таблиця 5 - Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора КТ315
Параметр, одиниця виміру | Позначення | Норма параметра | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
КГ315А | КГ315Б | КГ315В | КГ315Г | КТЗ15Д | КГ315Е | КГ315Ж | КГ315І | КТ315Н | КТ315Р | ||
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер, (R BE = 10 кОм), В 1) | U CERmax | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер при короткому замиканні в ланцюзі емітер-база, 1) | U CES max | – | – | – | – | – | – | 20 | 60 | – | – |
Макс. допустима постійна напруга колектор-база, 1) | U CB max | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
Макс. допустима постійна напруга емітер-база, 1) | U EB max | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
Макс. допустимий постійний струм колектора, ма 1) | I C max | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
Макс. допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, мВт 2) | P C max | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
Макс. допустима температура переходу, ⁰С | t j max | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 |
Примітка:
1. Для всього діапазону робочих температур.
2. При t атв від мінус 60 до 25 °С. При підвищенні температури більше 25 ° С P C max розраховується за формулою:
де R t hjα - загальний тепловий опір перехід-довкілля, що дорівнює 0,5 ° С/мВт.
![](https://i1.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Vhodnaya-harakteristika-tranzistora-1.png)
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Vhodnaya-harakteristika-tranzistora-2.png)
при U CE = 0, t атв = (25±10) °С
![](https://i2.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Vyhodnaya-harakteristika-KT315AVDI.png)
при t атв = (25±10) °С
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Vyhodnaya-harakteristika-KT315BGEN.png)
при t атв = (25±10) °С
![](https://i1.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Vyhodnaya-harakteristika-KT315ZH.png)
транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Vyhodnaya-harakteristika-KT315R.png)
транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-nasyshheniya-kollektor-emitter.png)
t атв = (25±10) °С
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-nasyshheniya-baza-emitter.png)
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-h21-ot-toka-emittera-KT315AVDI.png)
t атв = (25±10) °С
![](https://i1.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-h21-ot-toka-emittera-KT315BGEN.png)
t атв = (25±10) °С
![](https://i2.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-h21-ot-toka-emittera-KT315ZH.png)
![](https://i2.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-h21-ot-toka-emittera-KT315R.png)
![](https://i2.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-modulya-koef.-peredachi-pri-f100MGts.png)
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-post.-vremeni-tsepi-OS-ot-napryazheniya-kollektro-baza-KT315A.png)
![](https://i1.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-post.-vremeni-tsepi-OS-ot-napryazheniya-kollektor-baza-KT315BVGNR.png)
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-post.-vremeni-tsepi-OS-ot-toka-emittera-KT315A.png)
КТ315А
![](https://i0.wp.com/esociety.ru/wp-content/uploads/2017/01/Zavisimost-post.-vremeni-tsepi-OS-ot-toka-emittera-KT315BVGNR.png)
Мабуть, немає якогось більш менш складного електронного пристрою, виробленого в СРСР протягом сімдесятих, вісімдесятих і дев'яностих років, у схемі якого не використовувався б транзистор КТ315. Не втратив популярності він і досі.
У позначенні використана буква К, що означає «кремнієвий», як і більшість напівпровідникових приладів, що виготовляються з тих часів. Цифра "3" означає, що транзистор КТ315 відноситься до групи широкосмугових приладів невеликої потужності.
Пластиковий корпус не передбачав високої потужності, але дешевий.
Випускався транзистор КТ315 у двох варіантах, плоскому (помаранчевий або жовтий) та циліндричному (чорний).
Для того, щоб зручніше було визначати, як його монтувати, на його «лицьовій» стороні в плоскій версії виконано скіс, колектор – у середині, база – ліворуч, колектор – праворуч.
Чорний транзистор мав плоский зріз, якщо розташувати транзистор їм до себе, то емітер виявлявся праворуч, колектор – ліворуч, а база – посередині.
Маркування складалося з літери, залежно від допустимої напруги живлення, від 15 до 60 Вольт. Від літери залежить і потужність, вона може досягати 150 мВт, і це при мікроскопічних на той час розмірах – ширина – сім, висота – шість, а товщина – менше трьох міліметрів.
Транзистор КТ315 – високочастотний, цим пояснюється широта його застосування. до 250 мГц гарантує його стійку роботу в радіосхемах приймачів та передавачів, а також підсилювачах діапазону.
Провідність – зворотна, n-p-n. Для пари при використанні двотактної схеми посилення створено КТ361 з прямою провідністю. Зовні ці "близнюки-брати" практично не відрізняються, тільки наявність двох чорних рисок вказує на p-n-p провідність. Ще варіант маркування, буква розташована точно посередині корпусу, а не з краю.
За всіх своїх переваг, транзистор КТ315 має і недолік. Його висновки плоскі, тонкі, дуже легко відламуються, тому монтаж слід проводити дуже обережно. Втім, навіть зіпсувавши деталь, багато радіоаматорів примудрялися полагодити її, підпиливши трохи корпус, і «присопивши» зволікання, хоча це і важко, та й сенсу особливого не було.
Корпус настільки своєрідний, що вказує на радянське походження КТ315. Аналог йому знайти можна, наприклад, ВС546В або 2N9014 – з імпорту, КТ503, КТ342 або КТ3102 – з наших транзисторів, але рекордна дешевизна позбавляє сенсу такі хитрощі.
Випущено мільярди КТ315, і, хоча в наш час існують мікросхеми, в яких вбудовані десятки і сотні таких напівпровідникових приладів, іноді їх все ж таки використовують для збирання нескладних допоміжних схем.